Görsel mevcut değil
STGWA40H65DFB2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V 40
STGWA40H65DFB2 Hakkında
STGWA40H65DFB2, STMicroelectronics tarafından üretilen Trench Gate Field-Stop teknolojisine dayalı bir IGBT transistördür. 650V collector-emitter breakdown voltajı ve 72A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 153nC gate charge ve düşük switching energy değerleri (765µJ on, 410µJ off) ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. 2V Vce(on) değeri ısıl kayıpları minimize eder. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları, invertörler ve motor kontrolü uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir operasyon sunar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
72 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
153 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
230 W
Reverse Recovery Time (trr)
75 ns
Supplier Device Package
TO-247 Long Leads
Switching Energy
765µJ (on), 410µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
18ns/72ns
Test Condition
400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V