Görsel mevcut değil
STGWA40H65DFB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT TRENCH 650V 80A TO247
STGWA40H65DFB Hakkında
STMicroelectronics STGWA40H65DFB, 650V 80A kapasiteli Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 283W maksimum güç disipasyonu yapabilir. Vce(on) değeri 15V gerilim ve 40A akımda 2V'dir. 210nC gate charge ve 62ns reverse recovery time özellikleri ile hızlı anahtarlamayı destekler. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel uygulamalarda, motor kontrol devrelerinde, kaynak makinalarında ve güç dönüştürme sistemlerinde kullanılır. 400V/40A test koşullarında 40ns açılış ve 142ns kapanış süresi sağlar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
210 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
283 W
Reverse Recovery Time (trr)
62 ns
Supplier Device Package
TO-247 Long Leads
Switching Energy
498µJ (on), 363µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
40ns/142ns
Test Condition
400V, 40A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V