Görsel mevcut değil
STGWA30M65DF2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 650V 30A TO247-3
STGWA30M65DF2 Hakkında
STGWA30M65DF2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V 30A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 60A sürekli akım ve 120A darbe akımı yeteneğine sahiptir. 2V at(15V, 30A) on-state gerilimi ile düşük kayıp özellikleri sunar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel uygulamalar, motor kontrol devreleri, güç dönüştürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 80nC gate charge ve 31.6ns/115ns açılış/kapanış gecikme süresi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Maksimum 258W güç dağıtma kapasitesi bulunmaktadır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
80 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
258 W
Reverse Recovery Time (trr)
140 ns
Supplier Device Package
TO-247 Long Leads
Switching Energy
300µJ (on), 960µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
31.6ns/115ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V