Görsel mevcut değil
STGWA25H120F2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT HB 1200V 25A HS TO247-3
STGWA25H120F2 Hakkında
STMicroelectronics STGWA25H120F2, Trench Field Stop teknolojisine dayalı 1200V IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 25A nominal akım ve 50A maksimum akım kapasitesiyle çalışır. Pulse modunda 100A'ye kadar yüklenebilir. Gate charge 100nC olup, açılış/kapanış gecikmesi sırasıyla 29ns/130ns'dir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 25A akımda 2.6V'dur. Maksimum güç dissipasyonu 375W'dır. İletim ve kesme enerjileri sırasıyla 600µJ ve 700µJ'dir. -55°C ile +175°C arası çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. IGBT, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında, inverter devrelerinde, motor sürücülerinde ve endüstriyel güç dönüştürme sistemlerinde tercih edilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
Gate Charge
100 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
375 W
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
600µJ (on), 700µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
29ns/130ns
Test Condition
600V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.6V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V