Görsel mevcut değil
STGWA25H120DF2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT HB 1200V 25A HS TO247-3
STGWA25H120DF2 Hakkında
STMicroelectronics tarafından üretilen STGWA25H120DF2, 1200V/25A kapasiteli bir Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponentin maksimum güç yönetimi 375W'tır. Yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlevi gören bu IGBT, 100 nC gate charge ve 29ns/130ns açılma/kapanma zamanlarına sahiptir. Ters iyileştirme süresi 303ns, darbe akımı kapasitesi 100A'ye çıkabilmektedir. Düşük vce(on) değeri (2.6V @ 15V, 25A) ile enerji kaybı minimumda tutulur. -55°C ile 175°C arasında güvenilir şekilde çalışan bu transistör, endüstriyel kontrol uygulamaları, güç dönüştürücüler ve motor sürücü devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
Gate Charge
100 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
375 W
Reverse Recovery Time (trr)
303 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
600µJ (on), 700µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
29ns/130ns
Test Condition
600V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.6V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V