Görsel mevcut değil
STGWA20H65DFB2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
STGWA20H65DFB2 Hakkında
STGWA20H65DFB2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Gate Field-Stop IGBT transistörüdür. 20A nominal kollektör akımı ve 60A pulsed akım kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel inverterler, motor sürücüleri, anahtarlamış güç kaynakları ve UPS sistemlerinde yer almaktadır. 2.1V düşük VCE(on) değeri ve 56nC gate charge karakteristiği ile verimli komütasyon sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu IGBT, yüksek güç yoğunluğu ve hızlı anahtarlama özellikleri sunmaktadır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Gate Charge
56 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
147 W
Reverse Recovery Time (trr)
215 ns
Supplier Device Package
TO-247 Long Leads
Switching Energy
265µJ (on), 214µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
16ns/78.8ns
Test Condition
400V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V