Görsel mevcut değil
STGWA100H65DFB2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 1
STGWA100H65DFB2 Hakkında
STGWA100H65DFB2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Gate Field-Stop IGBT transistördür. 145A maksimum collector akımı ve 300A pulslu akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, güç anahtarlama uygulamalarında, inverter devreleri, motor sürücüleri, AC/DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama sistemlerinde kullanılır. 2V (15V, 100A koşullarında) Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, 123ns reverse recovery time'ı ile hızlı anahtarlamaya olanak tanır. 288nC gate charge değeri, kontrol devresi tasarımında düşük güç gereksinimleri sağlar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
145 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
300 A
Gate Charge
288 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
441 W
Reverse Recovery Time (trr)
123 ns
Supplier Device Package
TO-247 Long Leads
Switching Energy
2.2mJ (on), 1.4mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
30ns/130ns
Test Condition
400V, 100A, 2.2Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 100A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V