Görsel mevcut değil
STGW8M120DF3
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
STGW8M120DF3 Hakkında
STGW8M120DF3, STMicroelectronics tarafından üretilen 1200V Trench Gate Field-Stop tipi tekil IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 16A sürekli kolektör akımı ve 32A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 600V çalışma koşullarında 8A akımda 2.3V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Maksimum 167W güç dissipasyonu yapabilen komponent, -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışır. 103ns geri kazanım süresi ve 390µJ açılış / 370µJ kapanış enerjisi özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. Enerji dönüşüm uygulamaları, şarj cihazları, güç kaynakları ve endüstriyel invertör devrelerinde kullanılmaya uyygundur.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
16 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
32 A
Gate Charge
32 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
167 W
Reverse Recovery Time (trr)
103 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
390µJ (on), 370µJ (Off)
Td (on/off) @ 25°C
20ns/126ns
Test Condition
600V, 8A, 33Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V