Görsel mevcut değil
STGW80V60DF
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247
- Açıklama
- IGBT 600V 120A 469W TO247
STGW80V60DF Hakkında
STGW80V60DF, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V/120A kapasiteli bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. Trench Field Stop teknolojisiyle tasarlanan bu bileşen, 469W maksimum güç dağıtma kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketlemesiyle yapılmış olup, endüstriyel uygulamalar, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve dönergeç (inverter) uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 60ns geri kazanım süresi ve düşük iletim kaybı ile hızlı anahtarlama işlemlerine elverişlidir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 15V gate voltajında 2.3V kolektör-emitör doyum voltajı sunar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
120 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
240 A
Gate Charge
448 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3 Exposed Pad
Part Status
Active
Power - Max
469 W
Reverse Recovery Time (trr)
60 ns
Supplier Device Package
TO-247
Switching Energy
1.8mJ (on), 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
60ns/220ns
Test Condition
400V, 80A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 80A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V