Görsel mevcut değil
STGW80H65DFB-4
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT BIPO 650V 80A TO247
STGW80H65DFB-4 Hakkında
STGW80H65DFB-4, STMicroelectronics tarafından üretilen Trench Field Stop teknolojisine sahip IGBT transistördür. 650V koşullandırma voltajı ve 80A sürekli akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-247-4 paketinde sunulan bu bileşen, 2V on-state voltajı ve 414 nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Maksimum 469W güç yönetimi kapasitesi ve 85ns ters toparlanma süresi ile endüstriyel uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu IGBT, güç dönüştürme, motor kontrol ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi yüksek verimli güç elektroniği uygulamalarında tercih edilmektedir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
120 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
240 A
Gate Charge
414 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-4
Part Status
Active
Power - Max
469 W
Reverse Recovery Time (trr)
85 ns
Supplier Device Package
TO-247-4
Switching Energy
2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
84ns/280ns
Test Condition
400V, 80A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 80A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V