Görsel mevcut değil
STGW80H65DFB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 650V 120A 469W TO-247
STGW80H65DFB Hakkında
STMicroelectronics tarafından üretilen STGW80H65DFB, Trench Field Stop teknolojisine dayalı bir IGBT transistörüdür. 650V kollektör-emiter ters bozulma voltajı ve 120A maksimum kollektör akımı ile endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 469W maksimum gücü ile güç elektronikleri devrelerinde anahtarlama elemanı olarak görev yapar. Motor kontrol, invertör, konvertör ve kaynak cihazları gibi uygulamalarda tercih edilir. 414nC kapı yükü ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. TO-247-3 paket tipi ile montajı kolaydır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
120 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
240 A
Gate Charge
414 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
469 W
Reverse Recovery Time (trr)
85 ns
Supplier Device Package
TO-247
Switching Energy
2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
84ns/280ns
Test Condition
400V, 80A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 80A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V