Görseller temsilidir, tam özellikler için datasheet'e bakınız.
STGW75M65DF2 (G75M65DF2) N Kanal 120A 650V 468W TO-247 IGBT Transistör + Anti Paralel Diyot
STGW75M65DF2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Aile / Seri
- STGW75M65DF2
STGW75M65DF2 (G75M65DF2) N Kanal 120A 650V 468W TO-247 IGBT Transistör + Anti Paralel Diyot Hakkında
STGW75M65DF2, yüksek güç ve yüksek gerilimli uygulamalar için tasarlanmış N-kanal IGBT’dir ve dahili anti-parallel (freewheel) diyot içerir. 650V kolektör-emiter gerilimi ve 120A kolektör akımı (@25°C) ile inverter, motor sürücü ve endüstriyel güç elektroniği uygulamalarında güvenle kullanılır.
Düşük VCE(sat) ≈ 1.65V (typ) değeri ile iletim kayıplarını azaltır; hızlı anahtarlama karakteristiği (tr ≈ 22.4 ns) sayesinde yüksek frekanslı güç devrelerinde verimliliği artırır. TO-247 kılıfı yüksek güç dağıtımı ve sağlam termal performans sunar.
| Parça Kodu | STGW75M65DF2 |
|---|---|
| Marking Code | G75M65DF2 |
| Cihaz Tipi | IGBT + Anti-Parallel Diyot |
| Kanal Tipi | N-Channel |
| Maks. Kolektör-Emiter Gerilimi (Vce) | 650 V |
| Maks. Kolektör Akımı (Ic) | 120 A @25°C |
| Maks. Gate-Emiter Gerilimi (Vge) | ±20 V |
| VCE(sat) | 1.65 V (typ @25°C) |
| Gate Eşik Gerilimi (VGE(th)) | 7 V (max) |
| Toplam Gate Yükü (Qg) | 225 nC (typ) |
| Rise Time (tr) | 22.4 ns (typ) |
| Çıkış Kapasitansı (Coes) | 390 pF (typ) |
| Maks. Güç Dağılımı (Pc) | 468 W |
| Maks. Birleşim Sıcaklığı (Tj) | 175 °C |
| Montaj Tipi | Through Hole |
| Kılıf / Kasa | TO-247 |
İlgili Ürünler
