Görsel mevcut değil
STGW75M65DF2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
STGW75M65DF2 Hakkında
STGW75M65DF2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Gate Field-Stop IGBT transistördür. Maksimum 120A collector akımı ve 225A pulsed akım kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 2.1V VCE(on) ile düşük geçiş kaybı sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, switching güç kaynakları, motor kontrol devreleri, UPS sistemleri ve endüstriyel inverterlerde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışan cihaz, 468W maksimum güç dağıtabilir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
120 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
225 A
Gate Charge
225 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
468 W
Reverse Recovery Time (trr)
165 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
690µJ (on), 2.54mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
47ns/125ns
Test Condition
400V, 75A, 3.3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V