Görsel mevcut değil
STGW60H65DRF
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 650V 120A 420W TO247
STGW60H65DRF Hakkında
STGW60H65DRF, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V/120A kapasiteli bir Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında yüksek voltaj ve akım yönetimi için tasarlanmıştır. Maksimum 2.4V Vce(on) değeri ve 217nC gate charge karakteristiğine sahip olan cihaz, hızlı anahtarlama performansı sunar (85ns on-delay, 178ns off-delay). 420W güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel inverterler, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlamalı güç dönüştürücüleri gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş uygulama yelpazesine uyum sağlar. Not: Bu ürün Obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
120 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
240 A
Gate Charge
217 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
420 W
Reverse Recovery Time (trr)
19 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
940µJ (on), 1.06mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
85ns/178ns
Test Condition
400V, 60A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V