Görsel mevcut değil
STGW60H65DFB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 650V 80A 375W TO-247
STGW60H65DFB Hakkında
STGW60H65DFB, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistördür. 80A sürekli kolektör akımı ve 240A darbe akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 375W maksimum güç dağıtımı sağlar. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 60A akımda 2V olup, 60ns ters iyileştirme süresi ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Endüstriyel sürücüler, kaynak cihazları, solar invertörleri ve elektriksel güç dönüşüm sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
240 A
Gate Charge
306 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
375 W
Reverse Recovery Time (trr)
60 ns
Supplier Device Package
TO-247
Switching Energy
1.09mJ (on), 626µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
51ns/160ns
Test Condition
400V, 60A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V