Görsel mevcut değil
STGW50HF60SD
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 600V 110A 284W TO247
STGW50HF60SD Hakkında
STGW50HF60SD, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V 110A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 284W güç disipasyonuna sahiptir. Yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında, endüstriyel motor kontrolü, elektrik araçları, güç kaynakları ve fotovoltaik inverter sistemlerinde kullanılmaktadır. 50ns açılış ve 220ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Ürün obsolete konumundadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
110 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
130 A
Gate Charge
200 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
284 W
Reverse Recovery Time (trr)
67 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
250µJ (on), 4.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
50ns/220ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.45V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V