Görsel mevcut değil
STGW50H65DFB2-4
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 5
STGW50H65DFB2-4 Hakkında
STGW50H65DFB2-4, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Gate Field-Stop IGBT transistörüdür. Maksimum 86A sürekli akım ve 150A darbe akımı kapasitesi ile yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 272W maksimum güç seviyesinde çalışabilen bu bileşen, düşük geçiş kaybı ve hızlı anahtarlama karakteristiği ile endüstriyel sürücüler, kaynak makineleri, fotovoltaik inverter ve enerji dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak uygulanmaktadır. TO-247-4 paketinde sunulan komponentin çalışma sıcaklığı aralığı -55°C ile 175°C arasındadır. 151nC gate charge değeri ile kontrol devreleri tasarımında esneklik sağlar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
86 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Gate Charge
151 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-4
Part Status
Active
Power - Max
272 W
Reverse Recovery Time (trr)
92 ns
Supplier Device Package
TO-247-4
Switching Energy
629µJ (on), 478µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
18ns/128ns
Test Condition
400V, 50A, 12Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V