Görsel mevcut değil
STGW40S120DF3
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 1200V 40A TO247
STGW40S120DF3 Hakkında
STGW40S120DF3, STMicroelectronics tarafından üretilen 1200V / 40A kapasiteli tekil IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere geliştirilmiştir. TO-247-3 paketinde sunulan cihaz, 80A sürekli collector akımı ve 160A pulse akımı kapasitesine sahiptir. Gate charge değeri 129 nC olup, switching energy özellikleri on için 1.43mJ, off için 3.83mJ'dir. Vce(on) değeri 15V gate gerilimi ve 40A collector akımında 2.15V'tur. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilen bu transistör, invertörler, motor kontrol sistemleri ve endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
129 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
468 W
Reverse Recovery Time (trr)
355 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
1.43mJ (on), 3.83mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
35ns/148ns
Test Condition
600V, 40A, 15Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V