Görsel mevcut değil
STGW35NB60SD
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 600V 70A 200W TO247
STGW35NB60SD Hakkında
STGW35NB60SD, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V/70A kapasiteli bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-247-3 paket ile sunulan bu komponent, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 200W maksimum güç dağıtma kapasitesine sahip olan transistör, düşük Vce(on) değeri (1.7V @ 15V, 20A) ile verimli çalışma sağlar. 250A pulse akım ve 44ns reverse recovery time özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklık aralığı geniş uygulama yelpazesi sunar. Motor kontrol, inverter, kaynak cihazları ve benzer endüstriyel güç dönüştürme devreleri başlıca kullanım alanlarıdır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
70 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
250 A
Gate Charge
83 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
200 W
Reverse Recovery Time (trr)
44 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
840µJ (on), 7.4mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
92ns/1.1µs
Test Condition
480V, 20A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.7V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V