Görsel mevcut değil
STGW35HF60W
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 600V 60A 200W TO247
STGW35HF60W Hakkında
STGW35HF60W, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V 60A kapasiteli bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, 200W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. 140nC gate charge ve 30ns/175ns açılış/kapanış sürelerine sahip olan bu transistör, düşük collector-emitter voltaj düşüşü (Vce(on): 2.5V @ 15V, 20A) ile verimli çalışma sağlar. Pulsed akım kapasitesi 150A'e ulaşan cihaz, switching enerji değerleri 290µJ (on) ve 185µJ (off) olarak belirlenmiştir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, DC motor kontrolü, güç invertörleri, SMPS (Switch Mode Power Supplies), kaynak makinaları ve endüstriyel motor sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Through-hole montaj özelliği ile PCB tasarımına standart entegrasyonu mümkün kılmaktadır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Gate Charge
140 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
200 W
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
290µJ (on), 185µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
30ns/175ns
Test Condition
400V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V