Görsel mevcut değil
STGW30N120KD
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 1200V 60A 220W TO247
STGW30N120KD Hakkında
STGW30N120KD, STMicroelectronics tarafından üretilen 1200V/60A kapasiteli bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi görmektedir. Maksimum 220W güç dağıtma kapasitesiyle tasarlanmıştır. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 20A akımda 3.85V olup, 105nC gate charge ve 36ns/251ns açılış/kapanış gecikme sürelerine sahiptir. -55°C ile 125°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir. Endüstriyel güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, kaynak cihazları ve yüksek voltaj DC/DC converterlerde kullanılmaktadır. Not: Bu ürün üretimden kaldırılmış durumdadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
Gate Charge
105 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 125°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
220 W
Reverse Recovery Time (trr)
84 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
2.4mJ (on), 4.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
36ns/251ns
Test Condition
960V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.85V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V