Görsel mevcut değil
STGW30M65DF2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
STGW30M65DF2 Hakkında
STGW30M65DF2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Gate Field-Stop IGBT transistördür. 60A sürekli kolektör akımı ve 120A darbe akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 through-hole paketinde sunulan bu bileşen, 258W maksimum güç dağıtımına dayanır. 80nC gate charge ve 31.6ns/115ns açılış/kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlamayı destekler. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Endüstriyel sürücü devrelerinde, güç dönüştürücülerinde ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
80 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
258 W
Reverse Recovery Time (trr)
140 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
300µJ (on), 960µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
31.6ns/115ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V