Görsel mevcut değil
STGW25H120DF2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247
STGW25H120DF2 Hakkında
STGW25H120DF2, STMicroelectronics tarafından üretilen 1200V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 25A sürekli kolektör akımı ve 100A darbe akımı kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 2.6V olup, 600V/25A test koşullarında ölçülmüştür. Reverse recovery time 303ns ve switching energy sırasıyla on için 600µJ, off için 700µJ'dir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu IGBT, endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları, inverterler ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. 375W maksimum güç dağıtabilir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
Gate Charge
100 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
375 W
Reverse Recovery Time (trr)
303 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
600µJ (on), 700µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
29ns/130ns
Test Condition
600V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.6V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V