Görsel mevcut değil
STGW19NC60WD
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT 600V 42A 125W TO247
STGW19NC60WD Hakkında
STGW19NC60WD, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V rated IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Maximum 42A collector akımı ve 125W güç kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 53nC gate charge ve 31ns reverse recovery time özellikleri ile verimli komütasyon sağlar. Vce(on) maximum 2.5V @ 15V, 12A test koşullarında ölçülmüştür. -55°C ile +150°C junction sıcaklık aralığında çalışabilir. İnverter, motor sürücü ve güç dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bu IGBT, switching energy değerleri on için 81µJ, off için 125µJ olarak belirtilmiştir. Dikkat: Bu ürün obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
42 A
Gate Charge
53 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
125 W
Reverse Recovery Time (trr)
31 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
81µJ (on), 125µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
25ns/90ns
Test Condition
390V, 12A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V