Görsel mevcut değil
STGW10M65DF2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
STGW10M65DF2 Hakkında
STGW10M65DF2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Gate Field-Stop tipi IGBT transistördür. Maksimum 20A sürekli kollektör akımı ve 40A darbe akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. 28nC gate charge ve düşük Vce(on) değeri (2V @ 15V, 10A) ile verimli çalışma sağlar. Reverse recovery time 96ns olup, switching energy değerleri 120µJ (açılış) ve 270µJ (kapanış) olarak belirlenmiştir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olan bileşen, motor kontrol, invertör, şarj cihazları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 115W maksimum güç disipasyonu kapasitesi mevcuttur.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
40 A
Gate Charge
28 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
115 W
Reverse Recovery Time (trr)
96 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
120µJ (on), 270µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
19ns/91ns
Test Condition
400V, 10A, 22Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V