Görsel mevcut değil
STGP8NC60KD
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 15A 65W TO220
STGP8NC60KD Hakkında
STGP8NC60KD, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 15A maksimum collector akımı ve 65W güç yayılım kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 19nC gate charge ve 55µJ/85µJ switching energy değerleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Collector-Emitter diyot ters kurtarma süresi 23.5ns'dir. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Inverter, motor sürücü ve anahtarlama güç kaynakları gibi endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
15 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
Gate Charge
19 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
65 W
Reverse Recovery Time (trr)
23.5 ns
Supplier Device Package
TO-220
Switching Energy
55µJ (on), 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
17ns/72ns
Test Condition
390V, 3A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.75V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V