Görsel mevcut değil
STGP7NB60KD
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 14A 80W TO220
STGP7NB60KD Hakkında
STGP7NB60KD, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V/14A rated IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 80W güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. 15ns/50ns açılma-kapanma gecikmesi ve 50ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama özellikleri vardır. Vce(on) değeri 2.8V (15V gate gerilimi, 7A collector akımında) olup endüstriyel sürücü uygulamaları, motor kontrolü, SMPS ve koruma devreleri gibi orta güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Gate charge değeri 32.7nC ile düşük sürücü gereksinimlerine sahiptir. Cihazın maksimum çalışma sıcaklığı 150°C olarak belirlenmiştir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
14 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
56 A
Gate Charge
32.7 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
80 W
Reverse Recovery Time (trr)
50 ns
Supplier Device Package
TO-220
Switching Energy
140µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
15ns/50ns
Test Condition
480V, 7A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 7A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V