Görsel mevcut değil
STGP6M65DF2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
STGP6M65DF2 Hakkında
STGP6M65DF2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Gate Field-Stop IGBT transistördür. 12A kollektör akımı ve 24A darbe akımı kapasitesi ile endüstriyel uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 2V Vce(on) doyum gerilimi ve 21.2nC gate charge değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük kayıp sağlar. Reverse recovery süresi 140ns olup, switching energy değerleri on için 40µJ, off için 136µJ'dır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu IGBT, motor kontrol, güç dönüştürücü, invertör ve DC-DC dönüştürücü gibi uygulamalarda kullanılır. 88W maksimum güç harcaması ile kompakt tasarımlı sistemlerde tercih edilebilir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
12 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
24 A
Gate Charge
21.2 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
88 W
Reverse Recovery Time (trr)
140 ns
Supplier Device Package
TO-220
Switching Energy
40µJ (on), 136µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
12ns/86ns
Test Condition
400V, 6A, 22Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V