Görsel mevcut değil
STGP30M65DF2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 650V 30A TO-220AB
STGP30M65DF2 Hakkında
STMicroelectronics STGP30M65DF2, 650V kollektör-emitter gerilimi ile tasarlanmış Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 30A sürekli kollektör akımı ve 120A nabız akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, indüktif yükler, motor sürücüleri, kaynak makineleri ve güç dönüştürücü devrelerde yaygın olarak yer alır. 80 nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. Vce(on) değeri 2V olup, çalışma sıcaklık aralığı -55°C ile 175°C arasındadır. 258W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygundur.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
80 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
258 W
Reverse Recovery Time (trr)
140 ns
Supplier Device Package
TO-220
Switching Energy
300µJ (on), 960µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
31.6ns/115ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V