Görsel mevcut değil
STGP30H60DFB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
STGP30H60DFB Hakkında
STGP30H60DFB, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V/60A Trench Gate Field-Stop IGBT transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu tekil transistör, kolektör-emiter kırılma gerilimi 600V ve maksimum sürekli kolektör akımı 60A'dir. Düşük Vce(on) gerilimi (2V @ 15V, 30A) ve hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde sürücü devrelerinde verimli çalışır. 149 nC gate yükü ve 53 ns ters kurtarma süresi ile yüksek frekans uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum 260W güç tüketimi ile tasarlanmıştır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu komponent, endüstriyel denetim uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç kaynağı tasarımları ve inverter devrelerde yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
149 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
260 W
Reverse Recovery Time (trr)
53 ns
Supplier Device Package
TO-220
Switching Energy
383µJ (on), 293µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
37ns/146ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V