Görsel mevcut değil
STGP19NC60SD
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 40A 130W TO220
STGP19NC60SD Hakkında
STGP19NC60SD, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 40A sürekli kolektör akımı ve 130W güç saçitımı kapasitesiyle çalışır. 80A pulse akımını destekler. Switching uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, AC/DC dönüştürücülerde ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışır. 1.9V @ 15V, 12A düşük on-state voltajı ve 31ns reverse recovery time ile verimli anahtarlama sağlar. Through-hole montajı ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygun tasarlanmıştır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
80 A
Gate Charge
54.5 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
130 W
Reverse Recovery Time (trr)
31 ns
Supplier Device Package
TO-220
Switching Energy
135µJ (on), 815µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
17.5ns/175ns
Test Condition
480V, 12A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V