Görsel mevcut değil
STGP19NC60KD
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 35A 125W TO220
STGP19NC60KD Hakkında
STGP19NC60KD, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V, 35A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 125W maksimum güç yönetimi sağlar. 55nC gate charge ve hızlı anahtarlama karakteristiği (30ns açılış, 105ns kapanış) ile yaklaşık 165µJ açılış ve 255µJ kapanış enerji tüketimindedir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 12A akımda 2.75V olup, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Darbe akımı 75A'e kadar destekler. Güç elektroniği uygulamaları, motor sürücüleri, enerji dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde kullanılan güvenilir bir IGBT çözümüdür.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
35 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
75 A
Gate Charge
55 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
125 W
Reverse Recovery Time (trr)
31 ns
Supplier Device Package
TO-220
Switching Energy
165µJ (on), 255µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
30ns/105ns
Test Condition
480V, 12A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.75V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V