Görsel mevcut değil
STGP18N40LZ
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 420V 30A 150W TO220
STGP18N40LZ Hakkında
STGP18N40LZ, STMicroelectronics tarafından üretilen bir Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) komponentdir. Maximum 420V Collector-Emitter gerilimi ve 30A sürekli akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. 150W maksimum güç dağıtma yeteneğine sahip bu transistör, TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. Gate charge değeri 29 nC olup, açılma (Td on) ve kapanma (Td off) süreleri sırasıyla 650ns ve 13.5µs dir. -55°C ile +175°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Vce(on) değeri 4.5V gate geriliminde 10A akımda 1.7V olarak belirtilmiştir. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve PWM uygulamalarında tercih edilir. Bileşen obsolete durumda olup, yeni tasarımlarda güncel alternatifler değerlendirilmelidir.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
40 A
Gate Charge
29 nC
Input Type
Logic
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
150 W
Supplier Device Package
TO-220
Td (on/off) @ 25°C
650ns/13.5µs
Test Condition
300V, 10A, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.7V @ 4.5V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
420 V