Görsel mevcut değil
STGP15M65DF2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
STGP15M65DF2 Hakkında
STGP15M65DF2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Gate Field-Stop IGBT transistörüdür. TO-220-3 paket içerisinde sunulan bu komponent, maksimum 30A sürekli kollektör akımı ve 60A pulslu akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. Vce(on) değeri 2V (15V, 15A koşullarında) olup, 45nC gate charge ve 142ns reverse recovery time özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Çalışma sıcaklığı aralığı -55°C ile 175°C (junction) arasında değişmektedir. Maksimum güç tüketimi 136W'tır. Switching energy değerleri 90µJ (açılış) ve 450µJ (kapanış) olarak belirlenmiştir. Bu transistör, endüstriyel kontrol, inverter, motor sürücü ve güç elektronikleri uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Gate Charge
45 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
136 W
Reverse Recovery Time (trr)
142 ns
Supplier Device Package
TO-220
Switching Energy
90µJ (on), 450µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
24ns/93ns
Test Condition
400V, 15A, 12Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V