Görsel mevcut değil
STGP12NB60KD
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 30A 125W TO220
STGP12NB60KD Hakkında
STGP12NB60KD, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V 30A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 125W güç yönetimi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile tasarlanmıştır. 54nC gate charge ve 80ns reverse recovery time özellikleri sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 12A akımda 2.8V olarak belirtilmiştir. Güç dönüştürücü devreleri, motor sürücüleri, inverterler ve UPS uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Ürün güncel üretimde olmayan (obsolete) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Gate Charge
54 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
125 W
Reverse Recovery Time (trr)
80 ns
Supplier Device Package
TO-220
Switching Energy
258µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
25ns/96ns
Test Condition
480V, 12A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V