Görsel mevcut değil
STGP10NB60SD
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 29A 80W TO220
STGP10NB60SD Hakkında
STGP10NB60SD, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V rated IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 29A sürekli collector akımı ve 80A peak akıma sahip bu komponent, güç elektroniği uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. TO-220-3 paket tipi ile through-hole montajı destekler. 1.75V düşük on-state voltajı ve 37ns reverse recovery time ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklıdır. Aydınlatma sürücüleri, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve UPS sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 33nC gate charge ile düşük sürücü güç gereksinimi vardır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
29 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
80 A
Gate Charge
33 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
80 W
Reverse Recovery Time (trr)
37 ns
Supplier Device Package
TO-220
Switching Energy
600µJ (on), 5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
700ns/1.2µs
Test Condition
480V, 10A, 1kOhm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.75V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V