Görsel mevcut değil
STGP10NB37LZ
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 440V 20A 125W TO220
STGP10NB37LZ Hakkında
STGP10NB37LZ, STMicroelectronics tarafından üretilen bir Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bileşenidir. 440V collector-emitter breakdown voltajı ve 20A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 125W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Tekil IGBT yapısı ile güç elektronik uygulamalarında, motor kontrolü, kaynak makineleri, enerji dönüştürücüler ve indüktif yükün kontrolü gereken devrelerde kullanılır. 28nC gate charge değeri ve 1.3µs/8µs on/off gecikmesi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -65°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığında istikrarlı performans gösterir. Ürün obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
40 A
Gate Charge
28 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
125 W
Supplier Device Package
TO-220
Switching Energy
2.4mJ (on), 5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
1.3µs/8µs
Test Condition
328V, 10A, 1kOhm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 4.5V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
440 V