Görsel mevcut değil
STGP10H60DF
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 20A 115W TO220
STGP10H60DF Hakkında
STGP10H60DF, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V voltaj sınıfında bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. Trench Field Stop teknolojisine dayalı tasarımıyla, maksimum 20A sürekli collector akımı ve 40A pulse akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paket türünde sunulan bu bileşen, 115W maksimum güç disipasyonu ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. Düşük gate charge (57 nC) ve hızlı anahtarlama karakteristikleri (turn-on: 19.5ns, turn-off: 103ns) sayesinde endüstriyel sürücü uygulamaları, motor kontrol sistemleri ve enerji dönüştürme devrelerinde tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
40 A
Gate Charge
57 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
115 W
Reverse Recovery Time (trr)
107 ns
Supplier Device Package
TO-220
Switching Energy
83µJ (on), 140µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
19.5ns/103ns
Test Condition
400V, 10A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.95V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V