Görsel mevcut değil
STGFW40V60DF
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 80A 62.5W TO-3PF
STGFW40V60DF Hakkında
STMicroelectronics tarafından üretilen STGFW40V60DF, 600V kollektör-emitter gerilimi ile tasarlanmış Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 80A sürekli ve 160A darbe kolektör akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılmaktadır. 62.5W maksimum güç disipasyonu kapasitesine sahip olan komponent, TO-3PF paketinde sunulmaktadır. 226nC gate charge ve 41ns ters kurtarma süresi ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans sunar. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, enerji dönüştürücüler ve indüktif yükler içeren anahtarlama uygulamalarında tercih edilen bir bileşendir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
226 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3PFM, SC-93-3
Part Status
Active
Power - Max
62.5 W
Reverse Recovery Time (trr)
41 ns
Supplier Device Package
TO-3PF-3
Switching Energy
456µJ (on), 411µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
52ns/208ns
Test Condition
400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V