Görsel mevcut değil
STGF8NC60KD
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 7A 24W TO220FP
STGF8NC60KD Hakkında
STGF8NC60KD, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V breakdown voltajına sahip bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-220FP paket tipinde sunulan bu komponent, maksimum 7A sürekli collector akımı ve 30A pulse akımı kapasitesine sahiptir. 24W güç derecelendirmesine ve 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığına sahip olan transistör, switching uygulamalarında, güç dönüştürücülerinde, motor kontrolü ve endüstriyel sürücülerde yaygın şekilde kullanılmaktadır. 19nC gate charge ve düşük switching enerjisi (55µJ on, 85µJ off) özellikleriyle verimli anahtarlama performansı sunar. Reverse recovery time 23.5ns olarak belirtilmiş olup, yüksek frekanslı uygulamalara uygun tasarlanmıştır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
7 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
Gate Charge
19 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
24 W
Reverse Recovery Time (trr)
23.5 ns
Supplier Device Package
TO-220FP
Switching Energy
55µJ (on), 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
17ns/72ns
Test Condition
390V, 3A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.75V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V