Görsel mevcut değil
STGF6M65DF2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT TRENCH 650V 12A TO220FP
STGF6M65DF2 Hakkında
STGF6M65DF2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-220FP paketinde sunulan bu komponent, maksimum 12A kollektör akımı ve 24A darbe akımı ile çalışır. Gate charge değeri 21.2 nC olan bu transistör, düşük anahtarlama kaybı ve hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 6A akımda 2V olarak belirtilmiştir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu komponent, anahtar kaynakları, endüstriyel motor kontrol devreleri, UPS sistemleri ve güç çevirici uygulamalarında kullanılır. 36µJ açılma ve 200µJ kapanma anahtarlama enerjisi ile verimli performans sağlar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
12 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
24 A
Gate Charge
21.2 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
24.2 W
Reverse Recovery Time (trr)
140 ns
Supplier Device Package
TO-220FP
Switching Energy
36µJ (on), 200µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
15ns/90ns
Test Condition
400V, 6A, 22Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V