Görsel mevcut değil
STGF5H60DF
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
STGF5H60DF Hakkında
STGF5H60DF, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V Trench Gate Field-Stop IGBT transistördür. 10A maksimum collector akımı ve 20A darbe akımı ile tasarlanmıştır. Düşük gate charge (43 nC) ve hızlı switching karakteristiğine sahip olup, Td(on) 30ns ve Td(off) 140ns değerlerine ulaşır. 1.95V Vce(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. TO-220-3 paketlemesi ile through-hole montajına uygun olan bu bileşen, endüstriyel sürücü devreleri, motor kontrolü, anahtarlama kaynakları ve güç dönüşüm uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklıdır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
20 A
Gate Charge
43 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
24 W
Reverse Recovery Time (trr)
134.5 ns
Supplier Device Package
TO-220FP
Switching Energy
56µJ (on), 78.5µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
30ns/140ns
Test Condition
400V, 5A, 47Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.95V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V