Görsel mevcut değil
STGF4M65DF2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
STGF4M65DF2 Hakkında
STGF4M65DF2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Gate Field-Stop IGBT transistördür. Maksimum 8A kolektör akımı ve 23W güç yeteneği ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 400V çalışma voltajında 2.1V Vce(on) değerine sahiptir. 15.2nC gate charge ve 40µJ açılış/136µJ kapanış switching enerjisi ile verimli anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına dayanabilir. Endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları, motor kontrolü ve inverter devreleri gibi switching uygulamalarında kullanılır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
16 A
Gate Charge
15.2 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
23 W
Reverse Recovery Time (trr)
133 ns
Supplier Device Package
TO-220FP
Switching Energy
40µJ (on), 136µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
12ns/86ns
Test Condition
400V, 4A, 47Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V