Görsel mevcut değil
STGF20H65DFB2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
STGF20H65DFB2 Hakkında
STGF20H65DFB2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Gate Field-Stop IGBT transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 40A kollektör akımı ve 60A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 56nC gate yükü ve düşük anahtarlama enerjisi (on için 265µJ, off için 214µJ) ile verimli güç yönetimi sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, AC/DC dönüştürücüler, motor sürücüleri, kaynak makinaları ve endüstriyel güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 2.1V @ 15V, 20A VCE(on) değeri ile ısı yönetiminde avantaj sunar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Gate Charge
56 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
45 W
Reverse Recovery Time (trr)
215 ns
Supplier Device Package
TO-220FP
Switching Energy
265µJ (on), 214µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
16ns/78.8ns
Test Condition
400V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V