Görsel mevcut değil
STGF19NC60KD
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 16A 32W TO220FP
STGF19NC60KD Hakkında
STMicroelectronics tarafından üretilen STGF19NC60KD, 600V collector-emitter breakdown voltajına sahip yüksek voltaj IGBT transistörüdür. 16A maksimum DC collector akımı ve 32W güç yeteneği ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 Full Pack paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 55nC gate charge ve 30ns/105ns açılma/kapanma süreleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
16 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
75 A
Gate Charge
55 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
32 W
Reverse Recovery Time (trr)
31 ns
Supplier Device Package
TO-220FP
Switching Energy
165µJ (on), 255µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
30ns/105ns
Test Condition
480V, 12A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.75V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V