Görsel mevcut değil
STGF15M65DF2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
STGF15M65DF2 Hakkında
STGF15M65DF2, STMicroelectronics tarafından üretilen Trench Gate Field-Stop teknolojisine sahip bir IGBT transistördür. 650V kollektör-emitör gerilimi ve 30A maksimum kollektör akımı ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlaması uygulamalarında, inverter devrelerde, motor kontrollerinde ve DC-AC konverter tasarımlarında kullanılır. 24ns açılış ve 93ns kapanış süreleri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. 2V Vce(on) değeri düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahip olup, 31W maksimum güç dağıtabilir. Trench Field Stop teknolojisi sayesinde düşük ters kurtarma süresi (142ns) ve optimize edilmiş anahtarlama enerjisi sunar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Gate Charge
45 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
31 W
Reverse Recovery Time (trr)
142 ns
Supplier Device Package
TO-220FP
Switching Energy
90µJ (on), 450µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
24ns/93ns
Test Condition
400V, 15A, 12Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V