Görsel mevcut değil
STGF10NC60KD
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 9A 25W TO220FP
STGF10NC60KD Hakkında
STGF10NC60KD, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 9A collector akımı ve 25W maksimum güç disipasyonu ile tasarlanmıştır. TO-220-3 Full Pack paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama görevini üstlenir. 19nC gate charge ve 55µJ/85µJ switching energy değerleriyle hızlı komütasyon sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Elektrik motorlarının kontrolü, konvertörler, invertörler ve düzenleme devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
9 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
Gate Charge
19 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
25 W
Reverse Recovery Time (trr)
22 ns
Supplier Device Package
TO-220FP
Switching Energy
55µJ (on), 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
17ns/72ns
Test Condition
390V, 5A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V