Görsel mevcut değil
STGF10NB60SD
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 23A 25W TO220FP
STGF10NB60SD Hakkında
STMicroelectronics tarafından üretilen STGF10NB60SD, 600V breakdown voltajı ile çalışan Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) entegre devresidir. Maksimum 23A sabit akım (pulse'da 80A) kapasitesine sahip bu transistör, 25W güç dağıtabilir. TO-220-3 Full Pack paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında güvenli şekilde çalışır. 33nC gate charge ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 10A akım için 1.75V olarak belirtilmiştir. Switching energy değerleri; açılış için 600µJ, kapanış için 5mJ civarındadır. Bu transistör, endüstriyel uygulamalarda motor kontrolü, güç kaynakları, inverterler ve DC-DC dönüştürücülerinde yaygın olarak kullanılır. Through-hole montajı sayesinde PCB'ye doğrudan lehimleme yapılabilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
23 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
80 A
Gate Charge
33 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
25 W
Reverse Recovery Time (trr)
37 ns
Supplier Device Package
TO-220FP
Switching Energy
600µJ (on), 5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
700ns/1.2µs
Test Condition
480V, 10A, 1kOhm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.75V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V