Görsel mevcut değil
STGDL6NC60DT4
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- IGBT 600V 13A 50W DPAK
STGDL6NC60DT4 Hakkında
STGDL6NC60DT4, STMicroelectronics tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 600V kolektör-emitör dökülme voltajı ve 13A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Surface mount DPAK (TO-252) paketinde sunulan bu bileşen, 50W güç dissipasyonuna sahiptir ve -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 12nC gate charge ve 46.5µJ açılış / 23.5µJ kapanış switching enerjisi ile verimli anahtarlama özellikleri sunar. Motor sürücüleri, güç kaynakları ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Bileşen üretimi durdurulmuş (obsolete) durumda olup, yerini daha yeni IGBT modelleri almıştır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
13 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
25 A
Gate Charge
12 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
50 W
Reverse Recovery Time (trr)
30 ns
Supplier Device Package
DPAK
Switching Energy
46.5µJ (on), 23.5µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
6.7ns/46ns
Test Condition
390V, 3A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.9V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V