Görsel mevcut değil
STGDL6NC60DIT4
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- IGBT 600V 13A 50W DPAK
STGDL6NC60DIT4 Hakkında
STGDL6NC60DIT4, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V 13A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. Maksimum 50W güç tüketimine sahip bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlamalı uygulamalarda kullanılır. TO-252 DPAK paketinde sunulan transistör, endüstriyel kontrol devrelerinde, motor sürücülerinde ve güç dönüştürücülerinde yer alır. 600V breakdown voltajı, 13A nominal akım ve 23ns reverse recovery time özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. Geniş işletme sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde farklı ortamlarda güvenilir çalışma sağlar. Ürün EOL (End of Life) durumundadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
13 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
18 A
Gate Charge
12 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
50 W
Reverse Recovery Time (trr)
23 ns
Supplier Device Package
DPAK
Switching Energy
32µJ (on), 24µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
6.7ns/46ns
Test Condition
390V, 3A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.9V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V